2026年2月27日，南京激埃特光电发布一篇名为《从照明均匀性优化到光谱纯度提升，一场围绕193nm深紫外光刻的协同创新实践》的文章，从侧面证实国产DUVi光刻机技术水准极高！根据荷兰ASML公布的参数，其最先进DUVi型号是NXT2100i，套刻精度为1.3纳米。通过南京激埃特光电的技术优化，国产DUVi光刻机的套刻精度提升到0.8纳米，一举超越荷兰ASML最先进DUVi，可满足3纳米制程工艺曝光需求！资料显示，套刻精度2.5纳米的NXT1980i光刻机可支持7纳米制程工艺，而套刻精度1.3纳米的NXT2100i光刻机可支持5纳米制程工艺。如果把套刻精度提升到0.8纳米，那么它完全可以支持3纳米制程工艺！这就是南京激埃特光电的技术优化给国产DUVi带来了质的飞跃，直接打破DUVi光刻机无法用于比5纳米更先进的制程工艺的结论！
文章提到时间节点是2025年初客户提需求，经过几个月完成技术攻关，也就是说，国产DUVi光刻机在2025年就已经达到套刻精度0.8纳米的超高水准，一举超越ASML的DUVi光刻机技术水准！而该文章还提到，该光刻机经过改进以后，实测结果证实已经达到3纳米制程工艺水准。这意味着大陆地区本土3纳米制程工艺已经取得重大进展，其量产时间很可能比行业预计的时间早很多！
再从华为公布的AI算力芯片发展计划来看，也从侧面佐证了国产3纳米制程工艺已经有重大进展。
2025年9月18日，华为公开了它的昇腾系列AI算力芯片发展规划，预计划于2027年第四季度量产昇腾960，性能相当于采用台积电4纳米工艺的英伟达H200。不出意外的话，昇腾960也将采用4纳米制程工艺。由于算力芯片Die面积比较大，为保证良率不至于太低，通常不会采用最先进工艺量产，而是采用次先进工艺量产，那就意味着2027年第四季度，大陆本土最先进制程工艺至少要达到3纳米水准。
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